본 연구는 비정상상태 유동층 CVD 반응기내에서의 입자 성장에 관한 것으로 실란（SiH₄）가스의 열분해에 의해 생성된 고순도 다결성 실리콘이 반응기내에 주입된 실리콘 입자의 표면에 증착하여 입자가 성장하는 과정에 있어서의 입자 성장 속도 및 입도 분포에 관하여 모델을 설정하고 모사를 행하였다.
모사 결과 입자크기 분포는 반응기에 주입된 입자들의 초기 분포에 큰 영향을 받았으며 시간의 경과에 따라 입도 분포의 범위가 넓어짐을 알 수 있었다. 또한 모사 결과와 실험 결과를 비교하여 모델이 유동층 반응기내에서의 입자성장 예측에 적합함을 입증하였다.

A model was established to predict the particle size distribution and the particle growing rate in an unsteady state CVD fluidized bed reactor, in which high purity polycrystalline silicon particles were grown by a pyrolysis of silane gas（SiH₄） and chemical vapor deposition (CVD) on seed particles.
It was concluded from the simulation that particle size distribution is influenced by the initial size distribution of particle which was introduced in the fluidized bed and the size distribution is broadened as time elapses. It was found from the comparison between the model simulations and the experimental results that the model predicts the particle growing rate and operation conditions for fluidized bed reactors accurately.