본 연구는 정상상태의 연속 유동층 CVD 반응기내에서 실란의 열분해에 의한 고순도 다결정 실리콘 제조에 관한 것으로 최적 조업조건 결정에 있어서 주입되는 실리콘 입자핵의 양이 반응기 내부에 존재하는 실리콘 입자 및 외부에 유출되는 실리콘 입자의 입도분포에 미치는 영향에 관하여 모델을 설정하고 모사를 실시하였다. 주입되는 실리콘 입자핵의 양이 감소하면 반응기 밖으로 유출되는 실리콘 제품의 생산량 및 반응기 내부와 유출 입자의 평균 입경은 증가하였으나 입자들의 입도분포가 넓어지는 경향을 나타내었다. 또한 정상상태 연속 조업실험 결과가 모사 결과와 잘 일치하여 모사 결과를 최적 조업조건의 결정에 이용할 수 있음을 입증하였다.

A model was proposed to predict the particle size distribution in a steady state continuous CVD fluidized bed reactor and in outflow stream by variation of feed rate of input stream. In CVD fluidized bed reactor high purity polycrystalline silicon particles were grown by a pyrolysis of silane gas （SiH₄） and chemical vapor deposition (CVD) on seed particles. It was found from the computer simulation that the average size and output rate of product particles increased with decreasing silicon feed rate, and that the particle size distribution was broadened by the decrease of the feed rate, which is unfavorably influenced in a continuous CVD fluidized bed reactor. It was also demonstrated that the simulation results were in good agreement with experimental ones on a 4 inch CVD fluidized bed reactor and the model could be used in the estimation of operation conditions of CVD fluidized bed reactor.